Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов»




НазваниеТезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов»
страница1/6
Дата конвертации02.09.2012
Размер0.92 Mb.
ТипТезисы
  1   2   3   4   5   6
СПИСОК ОСНОВНЫХ НАУЧНЫХ ТРУДОВ

СУРОВЦЕВА ИГОРЯ СТЕПАНОВИЧА


№ п/п

Наименование трудов

Рукопись или печатные

Наименование издательства

Кол-во печ.л. или стр.

Фамилии соавторов работ

1.

Эффект «Памяти» в

структурах

Si-Al2O3-Al


печ.

В кн.: Новое в технике полупроводникового производства. Воронеж: изд-во

ВГУ, 1971, с.170


3 с.


Чистов Ю.С.

Дикарев Ю.И.

Гольдфарб В.А.

Сыноров В.Ф.


2.

К вопросу о возможности управления зарядом в МДП-структурах Si-SiO2

печ.

В кн.: Новое в технике полупроводникового производства. Воронеж: изд-во

ВГУ, 1971, с.173


3 с.

Дикарев Ю.И.

Чистов Ю.С.

Сахаров Б.Н.

Гольдфарб В.А.

Сыноров В.Ф.


3.

Возможности применения плазменного метода получения пленок SiO2 в технологии СПП


печ.

Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов», Запорожье. 1974, с.31


1 с.

Дикарев Ю.И.

Лягущенко И.Б.

Смольянова Т.П.

Гончаров Э.В.


4.

О маскирующих свойствах пленок SiO2, полученных в низкотемпературной плазме


печ.

В кн.: Физика полупроводников и микроэлектроника, вып.1, Рязань, 1975, с.155


5 с.

Дикарев Ю.И.

Лягущенко И.Б.

Смольянова Т.П.

Сыноров В.Ф.


5.

Плазменные методы в технологии мощных полупроводниковых приборов


печ.

Тезисы докладов V Всесоюзной конференции «Повышение эффективности силовых полупроводниковых приборов», Таллин, 1975, с.37


1 с.

Сыноров В.Ф.

Гольдфарб В.А.

Гончаров Э.В.

Дикарев Ю.И.

Лягущенко И.Б.


6.

Способ изготовления сплавной диодной структуры большой площади


печ.

В кн.: Физика полупроводников и микроэлектроника, вып.2, Рязань, 1976, с.115


4 с.

Стрыгин В.Д.

Гольдфарб В.А.

Сыноров В.Ф.


7.

Влияние обработки в высокочастотной плазме на дислокационную структуру кремния


печ.

Материалы IV Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом». Ч.III, Харьков, 1976,

с. 264


3 с.

Дегтяренко В.Н.

Воронков В.Б.


8.

Получение тонкопленочных покрытий методом высокочастотной безэлектродной плазмы


печ.

В кн.: «Жаростойкие покрытия для защиты конструкционных материалов», Л., Наука, 1977, с.174


14 с.

Гончаров Э.В.

Гольдфарб В.А.

Сыноров В.Ф.


9.

Профилирование монокристаллических кремниевых дисков в высокочастотном поле


печ.

В кн.: «Кристаллизация и свойства кристаллов», вып.5, Новочеркасск, 1978, с.28


5 с.




10.

Экспресс-контроль глубины нарушенного слоя в кремнии методом химического декорирования


печ.

Электронная техника. Серия 7, вып.6, 1978, с.92


5 с.

Сыноров В.Ф.

Веревкина Ж.А.

Гринева Н.С.


11.

Влияние дислокационных дефектов подложки на порообразование в пленочном покрытии


печ.

Тезисы докладов III Всесоюзного совещания «Дефекты структуры в полупроводниках», Новосибирск, 1978. Ч.1, с. 260

1 с.

Сыноров В.Ф.

Рубинштейн В.М.


12.

Экспресс-метод определения толщины приповерхностной трещиноватой зоны в кремнии


печ.

Тезисы докладов III Всесоюзного совещания «Дефекты структуры в полупроводниках», Новосибирск, 1978. Ч.1, с. 291


1 с.

Сыноров В.Ф.


13.

Генерация дислокаций в пластинах кремния при термообработке в условиях радиального температурного градиента

печ.

Электронная техника. Серия 6. Материалы, № 9, 1979, с. 35


5 с.

Сыноров В.Ф.


14.

О начальных стадиях обработки в высокочастотном электромагнитном поле

печ.

Электронная обработка материалов, № 5, 1979, с. 58


3 с.

Сыноров В.Ф.

Рубинштейн В.М.


15.

Плазма - новый инструмент технологии

печ.

Сер. Радиоэлектроника и связь. М.: Знание, № 9, 1980


128 с


Сыноров В.Ф.

16.

Взаимосвязь дефектов покрытия и подложки в системе Si-SiO2

печ.

Электронная техника. Серия 7, вып.3, 1981, с.14

4 с.

Сыноров В.Ф.

17.

Экспресс-методы контроля технологии СПП с применением химического декорирования


печ.

В кн.: «Технология силовых полупроводниковых приборов», Таллин, Балгус, 1981, с.165


8 с.

Сыноров В.Ф.

Веревкина Ж.А.


18.

Исследование влияния термообработок высокочастотного индукционного нагрева на дислокационную структуру кремния


печ.

В кн.: «Технология силовых полупроводниковых приборов», Таллин, Балгус, 1981, с.173


6 с.

Сыноров В.Ф.


19.

Исследование диффузии фосфора в кремний с плотностью дислокаций 103 - 108 см-2


печ.

Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Применение новых технологических методов и оборудования в производстве силовых полупроводниковых приборов», Каджи-Сай, 1982, с. 26

1 с.




20.

Разработка технологии нанесения пленок карбида кремния в потоке индукционной плазмы


печ.

Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Применение новых технологических методов и оборудования в производстве силовых полупроводниковых приборов», Каджи-Сай, 1982, с. 54

1 с.

Рубинштейн В.М.

Макеева Н.Н.


21.

О возможности возбуждения микроволнового излучения при импульсном нагружении металлов

печ.

Письма в ЖТФ. Т.9, вып. 2, 1983, с.85


4 с.

Молоцкий М.И.


22.

Электронная структура поверхности металлов вблизи дислокации

печ.

Поверхность. Физика, химия, механика, вып.1, 1983, с.12


5 с.

Молоцкий М.И.

Малыгин В.Б.


23.

Изменение дислокационной структуры и характеристик n-кремния при термоударе


печ.

В кн.: Кристаллохимия полупроводников и процессы на их поверхности. Воронеж: изд-во ВГУ, 1983, с.63


8 с.


Литвин Л.Т.


24.

Методы контроля макродефектов диэлектрических покрытий


печ.

Обзоры по электронной технике, М.: ЦНИИ «Электроника». Серия.3, вып.3, 1983

92 с.

Кузнецова Г.А.

Булгаков О.С.

Сыноров В.Ф.

25.

Плазмохимическое осаждение пленок карбида кремния на металлические поверхности


печ.

Тезисы докладов IV Всесоюзного симпозиума по плазмохимии. Ч. II, Днепропетровск, 1984, с.128


2 с.

Гапонов М.А.

Рубинштейн В.М.


26.

Получение пленок карбида кремния с использованием высокочастотной плазмы при атмосферном давлении


печ.

В кн.: Физико-химия гетерогенных систем, изд-во ВГУ, Воронеж, 1984, с.151


4 с.

Пивоваров С.М.

Макеева Н.Н.

Воробьева Р.П.


27.

Спектральное исследование пленок карбида кремния, полученных в потоке индукционной плазмы


печ.

В кн.: Физико-химические процессы в гетерогенных структурах, изд-во ВГУ, Воронеж, 1985, с.15


5 с.

Макеева Н.Н.

Рубинштейн В.М.

Гончаров Э.В.


28.

Состав и структура аморфных плазменных пленок на основе а-SiC


печ.

Тезисы докладов конференции «Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем», Махачкала, 1990, с. 83.


1 с.

Макеева Н.Н.

Рубинштейн В.М.

Терехов В.А.


29.

Плазмохимическое упрочнение инструментальных материалов


печ.

Тезисы докладов VI Республиканского семинара «Разработка, производство и применение инструментальных материалов», Запорожье, 1990, с.45


2 с.

Тригуб В.Б.

Орлова А.И.

Рубинштейн В.М.


30.

Пленки диоксида олова для газочувствительных слоев полупроводниковых датчиков газа


печ.

Вестник ННГУ. Серия: Материалы, процессы и технологии электронной техники, Н.Новгород: Изд-во ННГУ, 1994, с.180


9 с.

Кукуев В.И.

Лесовой М.В.

Работкина Н.С.

Цветков С.М.

Малыгин М.В.


31.

Высокоскоростное каталитическое травление кварца в газоразрядной плазме SF6


печ.

Вестник ННГУ. Серия: Материалы, процессы и технологии электронной техники, Н.Новгород: Изд-во ННГУ, 1994, с.193


8 с.

Дикарев Ю.И.

Есин В.И.

Цветков С.М.


32.

Метод моделирования атомной структуры некристаллических полупроводниковых материалов


печ.

Тезисы докладов Международной конференции по электротехническим материалам и компонентам (МКЭМК-95), Москва, МЭИ, 1995


2 с.

Перин Ю.Н.

Лесовой М.В.


33.

Nanometere scale investigation of silicon surface structure recostruction


печ.

Abstracts Xth International Conference, Copenhagen, The Niels Bohr Institute, 1995


1 с.

Ozol S.A.

Levin M.N.

Bitjutskaya L.A.


34.

Принцип повышения отклика полупроводниковых газочувствительных слоев


печ.

Труды II Всероссийской конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Таганрог, ТГРУ, 1995


1 с.

Кукуев В.И.

Лесовой М.В.

Работкина Н.С.

Цветков С.М.


35.

Сканирующий туннельный микроскоп: перспективы применения в микроэлектронике


печ.

Межвузовский сборник «Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры», Воронеж, ВГТУ, 1995


5 с.

Озоль С.А.

  1   2   3   4   5   6


Похожие:

Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» iconСовершенствование коммерческой деятельности предприятий является особо актуальной задачей, решение которой выступает важным условием подъема производства
Особое значение имеют разработка и применение новых форм и методов управления, внедрение новых более прогрессивных и производительных...
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» iconТезисы конференции икф «Альт»
В этом году мы провели исследование, как наши предприятия осуществляют инновации. Под инновациями мы понимали, в первую очередь,...
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» iconТезисы докладов Часть II секции 5−11 Москва − 2010 в части II сборника представлены тезисы докладов VIII всероссийской научно-технической конференции «Актуальные проблемы развития нефтегазового комплекса России»
В части II сборника представлены тезисы докладов VIII всероссийской научно-технической конференции «Актуальные проблемы развития...
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» iconПрикаспийский журнал: управление и высокие технологии
«Информационно-телекоммуникационные системы и техноло- гии», «Технология производства программного обеспечения», «Фи- зика твердого...
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» iconЭкономика и управление. Тезисы
Экономика и управление. Тезисы докладов научно-технической конференции «Энергия-2011»
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» icon«Фондовый менеджмент в расплывчатых условиях»
В основу методов и стратегий оптимального инвестирования положены результаты теории нечетких множеств. Описано внедрение разработанных...
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» icon«Фондовый менеджмент в расплывчатых условиях»
В основу методов и стратегий оптимального инвестирования положены результаты теории нечетких множеств. Описано внедрение разработанных...
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» iconТезисы докладов
Контрольные комиссии при городских и 2006 гг
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» iconТезисы докладов
России”, “Совершенствование системы экономического всеобуча в условиях
Тезисы докладов Всесоюзного семинара «Внедрение новых методов и материалов для производства силовых п/п приборов» iconРт н р
Тезисы докладов Всероссийской научно-практической конференции (8-9 апреля 2010 года)
Разместите кнопку на своём сайте:
Бизнес-планы


База данных защищена авторским правом ©bus.znate.ru 2012
обратиться к администрации
Бизнес-планы
Главная страница